【韓国】「万年３位」マイクロンの反乱…死に物狂いでサムスン抜いた

3/4(月) 11:21配信　　中央日報日本語版

最近半導体業界で最大の話題は米マイクロンのＨＢＭ３Ｅ量産のニュースだった。メモリー半導体の激戦地に浮上した高帯域幅メモリー（ＨＢＭ）市場でＳＫハイニックスとサムスン電子に押されシェア１０％未満であるマイクロンが先月２６日に第５世代ＨＢＭ３Ｅを世界で初めて量産すると電撃発表し勝負に出た。今年エヌビディアに納品することにしたという受注事実まで異例に自ら公開した。これでマイクロンはメモリービッグ３のうちＳＫハイニックスに次いでエヌビディアのＨＢＭ３Ｅパートナーになった。

マイクロンはサムスン電子だけでなくＳＫハイニックスと比較しても売り上げや生産能力で大きく劣る「万年メモリーナンバー３」だった。マイクロンはメモリービッグ３のうち唯一先端ＤＲＡＭ工程に必須の極端紫外線（ＥＵＶ）露光装備を備えていなかった。

これまでは３ナノメートル（１ナノメートル＝１０億分の１メートル）以下の最先端工程競争に入り込んだシステム半導体で主にＥＵＶを使ってきた。だがメモリー半導体業界でもＥＵＶ工程が当然視される雰囲気だ。サムスンとＳＫハイニックスは平沢（ピョンテク）と利川（イチョン）工場ですでに最新型ＤＲＡＭ生産にＥＵＶ工程を使っている。マイクロンがＥＵＶ装備なしでＨＢＭ３Ｅを量産するには工程効率の側面で大きな損害を甘受しなければならない。生産コストが大きく上がるという意味だ。

これに対しマイクロンもＥＵＶ導入に出た。台湾デジタイムズによると、マイクロンは昨年末から台湾の台中工場で本格的なＥＵＶ工程適用に入った。マイクロンのサンジャイ・メロトラ最高経営責任者（ＣＥＯ）は「来年までに台湾と日本の広島工場でＥＵＶを導入しＤＲＡＭを生産するだろう」と明らかにした。

半導体産業専門家らの情報を総合すると、マイクロンの今回の決定は根拠のない賭けではなかった。最近マイクロンは米国本社にある研究所と日本研究所に工程を交互に開発させるジグザグ戦略を駆使してきた。半導体専門調査機関テックインサイツのチェ・ジョンドン首席副社長は「米国研究所が第１・第３世代工程を研究すればこれまで日本研究所は第２・第４世代の工程を引き受ける形。５年間の開発時間を競合企業に比べ半分近く減らすことができた」と分析する。

業界では実際のＤＲＡＭ性能を左右する集積度の側面でマイクロンが確実にサムスン電子をリードしたと断言するのは難しいとしながらも、少なくともメモリー３社の先端工程技術力の格差はもうほとんどなくなったとみる。半導体業界関係者は「マイクロンがＥＵＶなしでここまできたとすれば原価と歩留まりなどすべての面で大きな損害を甘受してでも顧客であるエヌビディアの要求に合わせて供給したもの。必要なものがないのになんとかやり抜いた格好」と評価した。

マイクロンはメモリービッグ３のうち唯一の米国企業である点で相対的利点は今後もっと大きくなるかもしれない。米国政府が強固な支援軍の役割をできるためだ。

半導体業界ではマイクロンの奇襲に虚を突かれたサムスン電子の現住所をめぐり冷静な評価が出ている。既存のＤＲＡＭ製品と違いＨＢＭは顧客オーダーメード型製品だ。チップ性能だけでなくＨＢＭ製造の核心であるボンディング（接合）のようなパッケージング技術まですべて徹底的に顧客の要求に合わせなくては受注できないということだ。

匿名の半導体業界関係者は、「過去だったらサムスンがやったような果敢な勝負の賭けをマイクロンが先に仕掛けた形。３０年間メモリー１位を守ってきたサムスンがこれまで逃していたものが何かを振り返らなくてはならない時」と話した。

https://news.yahoo.co.jp/articles/e60840c779f4fac7991d067a58a7c0210e99e42f